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                單價: 面議
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                所在地: 浙江 杭州
                有效期至: 長期有效
                發布時間: 2023-11-24 12:41
                最后更新: 2023-11-24 12:41
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                低噪聲放大器的特點是輸入端信號很小,輸出端需要放大到一個較高的幅度。由于信號很小,任何噪聲都會對整個系統造成很大的影響,低噪聲放大器的噪聲功率應該盡可能地小。這點非常重要,因為如果噪聲功率太大,就會淹沒掉弱信號,而使系統無法正常工作。


                低噪聲放大器通常有很高的增益,并且設計上一般采用高質量的半導體材料和優良的RF PCB布局和平面耦合技術。低噪聲放大器往往采用反饋電路來控制放大器的穩定性和增益,以減少噪聲和失真。


                低噪聲放大器有多種拓撲結構,包括共源極(Common Source)、共柵極(Common Gate)和共漏極(Common Drain)等。常見的材料有GaAs、InP、SiGe和CMOS等。其中,GaAs和InP是高質量的半導體材料,具有低噪聲和高增益的特點;SiGe是一種新型的半導體材料,比傳統的Si材料具有更高的電子遷移率和更大的截止頻率,可以用來制作高性能的低噪聲放大器。


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