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                DDR2/3/4/5信號完整性測試及DDR測試解決方案

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                發布時間: 2023-12-15 06:36
                最后更新: 2023-12-15 06:36
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                詳細說明
                隨著近十年以來智能手機、智能電視、AI技術的風起云涌,人們對容量更高、速度更快、能耗更低、物理尺寸更小的嵌入式和計算機存儲器的需求不斷提高,DDR SDRAM也不斷地響應市場的需要和技術的升級推陳出新。
                1、DDR標準制定者:JEDEC協會所有的DDR標準、LPDDR標準、GDDR標準,及內存模組標準均是由JEDEC下屬的 JC-42 Solid State Memories工作組所開發。
                JEDEC,全稱為“Joint Electron Device Engineering Council”,固態技術協會,為一個全球性的組織。
                DDR技術的發展:從DDR1到DDR5的演變:電壓更低,速率翻倍,容量翻倍2、DDR接口的基本原理? 內核的頻率:100MHz~266MHz,從SDR時代到DDR,再到ZUI新的DDR5;? 數據速率的提升是通過I/O接口的架構設計實現的,主要有三個技術:1) 雙邊沿傳輸數據:這是DDR名稱的來源;2) 預取技術(Prefetch): 2bit for DDR, 4bit for DDR2, 8bit for DDR3, 8bit for DDR4, 16bit for DDR5…本質上是一個串并轉換技術;3) SSTL/POD Signaling: 克服在高速傳輸時的信號完整性的問題。
                芯片內部的一般架構:保證數據能夠高速從芯片引腳輸出在上述這樣一種芯片架構中,為了ZUI大程度的降低DRAM芯片的成本,ZUI節省成本的方法為:? 對于讀操作,DQS與DQ為邊沿對齊;? 對于寫操作,DQS與DQ為中心對齊。
                3、DDR接口信號分類引腳框圖4、信號分類及其拓撲連接方式不同類的信號,它的拓撲連接方式不一樣。
                5、DDR接口舉例說明:DDR3 DIMM Layout6、DDR接口舉例說明:DDR3 DIMM Layout? 內存控制器芯片與DRAM顆粒芯片在同一塊PCB上;? 內存通道的總線寬度根據所選擇的內存控制器芯片的不同而不同;? CPU Core并不是直接和內存發生作用,而是通過緩存來和內存發生作用;? Cache Line的大小為64 Byte;也就是說緩存與內存相互作用的ZUI小單位為64 Byte。
                7、DDR測試解決方案? 計算機系統采用標準化的DIMM,可以使用多種探測解決方案進行探測。
                ? 嵌入式設計中的通常直接把DRAM芯片焊接在PCB上,而所有的DDR3顆粒均采用BGA封裝。
                JEDEC的規格定義的測試點為BGA的焊球處。
                ? 在PCB layout時,就通過過孔在背面預留有測試點,這樣可以直接點測完全信號的探測;也就是DfT(Design for Test)。
                ? 當使用直接探測時,可以得到很好的信號保真度。
                ? 但對于PCB正反面都貼有DRAM顆粒,這種方法無能為力。
                DDR測試方案一:直接探測DDR3 DIMM + TDP7700 Probe TipsDDR測試方案二:BGA Interposer8、突發識別的方法? 在分析時,需要自動將讀突發和寫突發分離開來獨自進行分析? 對于讀寫分離,有若干種方法:1) DQ/DQS phase alignment:基于讀操作和寫操作的DQ/DQS相位對齊關系的不同,讀操作為邊沿對齊,寫操作為中心對齊。
                這種ZUI常用。
                2) Visual Trigger:可視觸發,用戶自定義可視觸發條件,靈活度非常高;3)CS, Latency + DQ/DQS phase alignment:當有多個rank時,需要通過CS信號來區分是哪一個rank進行讀寫;4) Logic State + Burst Latency:通過解析命令信號群組(RAS#-CAS#-WE#)來確定讀操作和寫操作。
                DDR測試需要提供的資料:DDR測試不僅需要準備測試樣品,還需要提供產品的線路圖及layout。
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