四、電源完整性設(shè)計(jì)策略：
(1)、需要額外關(guān)注PCB過孔、走線和電源平面的通流能力。當(dāng)在一個(gè)平面上布置多個(gè)電源時(shí)，需要進(jìn)行電源平面的分割。電源平面的分割方式要簡潔合理，分割區(qū)域的大小要滿足載流能力的要求。
(2)、盡可能使電源平面與地平面成對相鄰出現(xiàn)且電源平面與地平面應(yīng)盡可能接近，平面之間的介質(zhì)要盡可能薄。為了保證電源平面與地平面具有良好的電容耦合特性，一般將電源平面與地平面距離控制在5mil以內(nèi)，不要超過10mil。如果電源平面與地平面無法相鄰，為了達(dá)到較好的耦合效果，需要在電源和地之間額外加入去耦電容，增強(qiáng)電源與地平面之間的電容耦合特性。
(3)、去耦電容的設(shè)計(jì)：去耦電容的合理使用(電容類型、電容數(shù)量、電容的布局位置)是電源完整性設(shè)計(jì)的重要部分。電容的去耦根據(jù)其擺放位置的不同可以分為：電源引腳去耦、電源平面去耦。電容的去耦作用是有一定的距離要求的，即去耦半徑。進(jìn)行引腳去耦時(shí)，要盡可能縮短焊盤和去耦電容之間引線的長度，引線過長會引入額外的寄生電感，從而使得去耦電容總的電感增大。BGA類的IC一般都采用平面去耦的方式，其引腳數(shù)量眾多，常常在一個(gè)區(qū)域內(nèi)布置幾個(gè)去耦電容給幾個(gè)電源引腳去耦。在去耦電容的布局時(shí)，小容值的靠近IC引腳，大容值的可以距離IC稍遠(yuǎn)，各個(gè)規(guī)格的去耦電容應(yīng)該均勻布置在IC四周，以便使IC所在區(qū)域各電源等級均勻去耦。電容焊盤的扇出方式推薦采用多過孔的方式。
(4)、同步開關(guān)噪聲(SSN)的影響：同步開關(guān)噪聲(SSN)實(shí)質(zhì)上是當(dāng)器件處于開關(guān)狀態(tài)時(shí)，產(chǎn)生瞬間變化的電流(di / dt)，在經(jīng)過回流路徑上存在電感時(shí)，形成的交流壓降，從而引起噪聲，其定義為：。SSN一般可以稱為地彈和電源彈。在實(shí)際的設(shè)計(jì)中，SSN是不可能徹底消除的，因?yàn)橛须娫匆€存在就一定有SSN。SSN的具體解決方法包括：
1、增加適當(dāng)?shù)娜ヱ铍娙荩⒈M可能靠近芯片供電引腳來改善芯片周圍的電源局部完整性。
2、在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，在滿足系統(tǒng)整體性能需求前提下，盡可能使用平緩的驅(qū)動信號(減緩驅(qū)動器的上升沿和下降沿時(shí)間)，可以有效抑制SSN。
