| GAGG： | 閃爍晶體 |
| 尺寸： | D18*0.5 |
| 加工參數： | 雙面拋光 |
| 單價： | 面議 |
| 發貨期限： | 自買家付款之日起 天內發貨 |
| 所在地： | 江蘇 南京 |
| 有效期至： | 長期有效 |
| 發布時間： | 2024-05-09 03:23 |
| 最后更新： | 2024-05-09 03:23 |
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簡介：
鈰離子摻雜的釓鋁鎵石榴石晶體簡稱Ce:GAGG晶體，其化學式為Ce:Gd3Al2Ga3O12，該晶體具有密度高、透過率高、有效原子序數大、光產額高、衰減時間快、能量分辨率好、物化性能穩定、無自輻射，無潮解，加工特性好等優異的性能，其被認為是眾多氧化物閃爍晶體中最youxiu的晶體之一。
Ce：GAGG晶體在540nm波段有較高的光輸出響應，使其與硅光電二極管能夠極好地匹配。該晶體可大尺寸生長，加工性能好，能夠加工最高128通道的陣列產品，最小像素支持0.3mm。
Ce：GAGG晶體良好的閃爍性能及物化特性，使其廣泛用于高能粒子探測、 核物理、 醫學成像、 安檢、 工業探測等領域。尤其是其快衰減特性及低余暉特性使得在PET影像系統，人體、工業、無損檢測、安檢及X-CT等其他成像應用領域得到極為廣泛的使用。
硅酸鎵鑭(La3Ga5SiO14,簡稱：LGS)晶體是一種綜合性能優異的多功能晶體材料。相對于石英晶體，LGS晶體具有更高的機電耦合系數和壓電常數，是石英晶體的2-3倍；有比石英晶體更低的聲衰減；還具有零溫度系數切型；可用于制造聲表面波（SAW）和體聲波（BAW）器件；其在室溫至熔點溫度（1470℃）無相變，在大帶寬壓電器件和高溫傳感器領域具有極大的應用潛力；LGS晶體還具有較高的介電常數和彈性系數，也可用于制造電光Q開關器件。