磁吸式移動(dòng)充電寶 EMC 設(shè)計(jì)檢測：GB/T 17626.3 傳導(dǎo)發(fā)射摸底分析

磁吸式移動(dòng)充電寶作為現(xiàn)代便攜充電設(shè)備的重要形態(tài)，因其便捷的連接方式和高效的充電能力，逐漸成為用戶的主流選擇。在其設(shè)計(jì)和制造過程中，如何有效控制電磁兼容性（EMC）問題，尤其是針對傳導(dǎo)發(fā)射方面的檢測和整改，成為保障用戶使用安全和產(chǎn)品順利進(jìn)入市場的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。本文基于深圳市南柯電子科技有限公司近期針對磁吸式移動(dòng)充電寶的實(shí)際檢測項(xiàng)目，圍繞GB/T 17626.3標(biāo)準(zhǔn)，深入解讀傳導(dǎo)發(fā)射摸底測試與整改的相關(guān)技術(shù)和實(shí)踐，力求為同行業(yè)提供有效借鑒和參考。

一、產(chǎn)品成分分析：電磁發(fā)射的源頭把控

磁吸式移動(dòng)充電寶的核心組成包括電池單元、充電控制電路、磁吸連接接口以及外殼結(jié)構(gòu)。這些部分彼此關(guān)聯(lián)，直接影響著產(chǎn)品的電磁兼容性能。在傳導(dǎo)發(fā)射方面，主要關(guān)注充電電路中的開關(guān)電源模塊和磁吸接口的設(shè)計(jì)，因其是傳導(dǎo)干擾的主要源頭。開關(guān)電源中的高頻開關(guān)動(dòng)作，容易產(chǎn)生大量的高頻脈沖噪聲，通過電源線或磁吸接口向外傳導(dǎo)，引起傳導(dǎo)發(fā)射超標(biāo)。

磁吸式連接結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)也影響傳導(dǎo)路徑及阻抗匹配，不完善的設(shè)計(jì)會(huì)導(dǎo)致電磁干擾（EMI）在接口處反射和輻射，造成輻射發(fā)射摸底問題。深入分析電路設(shè)計(jì)、元器件布局及接口工藝是控制硬件EMC的第一步。

二、檢測項(xiàng)目解析：聚焦GB/T 17626.3傳導(dǎo)發(fā)射摸底測試

GB/T 17626.3標(biāo)準(zhǔn)主要針對電磁兼容限值及測試方法之傳導(dǎo)發(fā)射，要求對設(shè)備供電端口從150 kHz至30 MHz頻率范圍內(nèi)的電磁干擾信號(hào)進(jìn)行測量和評估。深圳市南柯電子科技有限公司在檢測過程中，主要圍繞以下幾個(gè)核心項(xiàng)目：

開關(guān)電源供電線的傳導(dǎo)干擾測試。 磁吸接口供電及控制信號(hào)線的傳導(dǎo)發(fā)射測試。 產(chǎn)品工作環(huán)境模擬下的輻射發(fā)射摸底測試。

通過模擬真實(shí)使用場景，結(jié)合符合GB/T 17626.3規(guī)范的測量設(shè)備，如人工電網(wǎng)（Artificial Mains Network, AMN），針對傳導(dǎo)干擾進(jìn)行了系統(tǒng)評估。檢測結(jié)果顯示，部分樣機(jī)在指定頻率帶寬內(nèi)存在傳導(dǎo)發(fā)射超標(biāo)現(xiàn)象，尤其以150 kHz至1 MHz范圍內(nèi)更加明顯，提示需針對電路設(shè)計(jì)和屏蔽措施展開整改。

三、輻射發(fā)射摸底與整改的相關(guān)性

文章標(biāo)題強(qiáng)調(diào)“傳導(dǎo)發(fā)射摸底分析”，但在實(shí)際工作中，輻射發(fā)射摸底測試同樣不可忽視。深圳市南柯電子科技有限公司在檢測過程中發(fā)現(xiàn)，傳導(dǎo)發(fā)射超標(biāo)往往伴隨輻射發(fā)射異常。這兩類發(fā)射在傳導(dǎo)和輻射路徑中相互轉(zhuǎn)化，若單純聚焦一端整改，難以徹底解決EMC問題。

針對輻射發(fā)射摸底發(fā)現(xiàn)的異常點(diǎn)，公司結(jié)合整改方案，從以下幾個(gè)角度展開：

改善PCB電路布局，縮短信號(hào)回路路徑，減少天線效應(yīng)。 增強(qiáng)金屬外殼及磁吸接口的屏蔽性能。 增加濾波組件，如共模扼流圈和電容，抑制高頻干擾源。

輻射發(fā)射整改與傳導(dǎo)發(fā)射整改往往需同步推進(jìn)，才能有效減少干擾水平。

四、深圳市南柯電子科技有限公司的整改實(shí)踐方案

以GB/T 17626.3標(biāo)準(zhǔn)為基準(zhǔn)，公司結(jié)合具體產(chǎn)品測試數(shù)據(jù)，制定了科學(xué)的整改措施并實(shí)施，主要包括：

整改項(xiàng)目 措施內(nèi)容 預(yù)期效果

傳導(dǎo)發(fā)射濾波器優(yōu)化	選用高品質(zhì)共模電感及X/Y電容，布局更合理，升高濾波等級	降低150 kHz至30 MHz范圍內(nèi)傳導(dǎo)噪聲分量
磁吸接口屏蔽結(jié)構(gòu)改良	采用多層金屬屏蔽層及接地結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，加固縫隙密封	有效減少接口處輻射和傳導(dǎo)干擾
開關(guān)電源軟啟動(dòng)及波形調(diào)整	采用軟開關(guān)電路設(shè)計(jì)，減少開關(guān)噪聲尖峰	傳導(dǎo)及輻射發(fā)射均得到明顯抑制
PCB布局調(diào)整	最短回路設(shè)計(jì)，信號(hào)和電源區(qū)域分割，增加接地平面	降低EMI輻射和規(guī)模傳播路徑

通過以上整改措施，產(chǎn)品進(jìn)入實(shí)驗(yàn)室復(fù)測，傳導(dǎo)發(fā)射和輻射發(fā)射指標(biāo)均達(dá)標(biāo)，顯著提升產(chǎn)品的市場競爭力和使用安全性。

五、對用戶和行業(yè)的啟示

磁吸式移動(dòng)充電寶在帶來便利的也隱藏著復(fù)雜的EMC挑戰(zhàn)。深圳市南柯電子科技有限公司的實(shí)踐表明，系統(tǒng)的輻射發(fā)射摸底測試與傳導(dǎo)發(fā)射摸底測試結(jié)合，配合科學(xué)合理的整改方法，才能真正實(shí)現(xiàn)電磁兼容的合規(guī)與穩(wěn)定。

對研發(fā)企業(yè)而言，提前介入EMC設(shè)計(jì)檢測，避免后期整改成本激增，是降低產(chǎn)品風(fēng)險(xiǎn)、保障品牌信譽(yù)的必由之路。對于消費(fèi)者，選擇通過正規(guī)檢測并擁有完善整改方案的產(chǎn)品，不僅能享受設(shè)備帶來的便捷，更保障了使用過程中的安全與健康。

六、

深圳市南柯電子科技有限公司在磁吸式移動(dòng)充電寶GB/T 17626.3傳導(dǎo)發(fā)射摸底分析和整改中的成功實(shí)踐，充分體現(xiàn)了系統(tǒng)EMC檢測技術(shù)和產(chǎn)品設(shè)計(jì)改進(jìn)的重要性。企業(yè)通過有效整合輻射發(fā)射與傳導(dǎo)發(fā)射的檢測及整改工作，不僅提升產(chǎn)品性能和合規(guī)性，還推動(dòng)了行業(yè)電磁兼容技術(shù)的進(jìn)步。未來，隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)發(fā)展，對電磁環(huán)境的要求將更高，深圳市南柯電子科技有限公司將繼續(xù)深入攻關(guān)，提供全面專業(yè)的EMC解決方案，助力更多高質(zhì)量電子產(chǎn)品進(jìn)入市場，實(shí)現(xiàn)安全與性能的最優(yōu)平衡。