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                剩余電流特性測試儀 剩余電流保護器特性測試儀 B型

                電流: 2A
                電壓: 220v
                精度: 0.1級
                單價: 127.00元/套
                發(fā)貨期限: 自買家付款之日起 天內(nèi)發(fā)貨
                所在地: 山東 青島
                有效期至: 長期有效
                發(fā)布時間: 2023-12-14 06:46
                最后更新: 2023-12-14 06:46
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                詳細說明
                HN1000B 斷路器剩余電流保護器動作特性測試儀(分A型AC型B型F型) B型剩余電流斷路器測試儀(以下簡稱測試儀)是為剩余電流斷路器的性能測試而研制,它是檢測B型剩余電流斷路器脫扣電流和分斷時間的關(guān)鍵儀器。
                測試儀適用于電子式和電磁式的剩余電流斷路器。
                1P+N、2P、、+N、4P的斷路器均能測試,輸出大剩余電流為2A。
                系統(tǒng)顯示和操作采用流行的工業(yè)級觸摸屏,操作簡單; 接地方式:可靠接地   測試儀輸出的電流值為真有效值,測試不確定度小于1%; (2)50Hz交流剩余電流范圍:0~2A; 選項角為0°的脈動直流剩余電流,電流的范圍為0~800mA; 選項角為135°的直流剩余電流,電流的范圍為0~200mA; (5)疊加平滑直流的范圍為5~100mA;  先測試出可控硅的峰值電壓,將電線正負極連接至K兩極,接地線接至室內(nèi)主接地上,逐漸升壓,測試其漏電流數(shù)值。
                進行漏電測試后,逐漸升壓,觀測漏電流,當數(shù)值超過其額定峰值電壓后,可控硅被擊穿,但采用此方法可能會破壞其PN結(jié),并且只能測試其是否導通,而不能測試其導通是否良好,故不再采用此法進行測試。
                搖表測試法用搖表對可控硅進行測量,參照之前使用的漏電檢測法。
                為防止搖表法測試過程中擊穿或損壞可控硅,改變搖表操作方法,即要對搖表電壓和轉(zhuǎn)速進行控制,兩筆端鏈接K極對其進行測試。
                LTE測試雖進步顯著未來仍面臨三重關(guān)互操作測試任務仍艱巨三大運營商3G網(wǎng)絡(luò)已完成大規(guī)模建設(shè),新部署的LTE網(wǎng)絡(luò)在較長時期內(nèi)難以達到2G/3G網(wǎng)絡(luò)的覆蓋廣度和深度,且VoLTE目前還不夠成熟,LTE與2G/3G網(wǎng)絡(luò)不能孤立運行,必須通過互操作來保證業(yè)務在網(wǎng)絡(luò)之間的連續(xù)性。
                LTE與2G/3G的互操作包括語音互操作和數(shù)據(jù)互操作。
                以移動為例,對于數(shù)據(jù)互操作,不僅要求TD-LTE與TD-SCDMA之間實現(xiàn)空閑態(tài)的雙向重選、連接態(tài)的雙向重定向,還要求TD-LTE與GSM網(wǎng)間實現(xiàn)互操作以保證業(yè)務連續(xù)性,復雜的切換場景對測試工作而言是艱巨的挑戰(zhàn)。
                關(guān)于MOSFET很多人都不甚理解,這次小編再帶大家仔細梳理一下,也許對于您的知識系統(tǒng)更加。
                下面是對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點其中參考了一些資料。
                在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候,大部分人都會考慮MOS的導通電阻,電壓等,電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。
                這樣的電路也許是可以工作的,但并不是的,作為正式的產(chǎn)品設(shè)計也是不允許的。

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